•关键字搜索
•库存搜索
•相互参照搜索
•参数搜寻

绝缘栅双极晶体管 (IGBT)

技术规格

Bourns® BID 离散式 IGBT 系列结合了 MOS 栅极和双极晶体管的技术，为高压和大电流应用创造了合适的组件。 Bourns® BID IGBT 系列采用先进的沟槽栅极场截止技术，提供更好的动态特性控制，同时降低集极-射极饱和电压 (V_CE(sat)) 和开关损耗。此外，这种结构增加了器件的稳健性并提供更低的热阻 R_TH，使其成为开关模式电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS)、感应加热和功率因子校正 (PFC) 应用的理想解决方案。

>> IGBT 技术数据库

产品

参数搜索

RoHS

产品信息

视频

索取样品

联系我们

Series	Data Sheet	Package	Feature	V_CE [V]	I_C @ T=100 ˚C [A]	Typ. V_CE(sat) @ Ic, Vge=15 V [V]	I_F @ T=100 ˚C [A]	Operating Junction Temperature	MDS	Buy Now
BIDD05N60T	bidd05n60t	TO-252	Medium speed	600	5	1.5	N/A	–55 °C to +150 °C	BIDD05N60T	Buy
BIDW20N60T	bidw20n60t	TO-247	Medium speed	600	20	1.7	20	–55 °C to +150 °C	BIDW20N60T	Buy
BIDW30N60T	bidw30n60t	TO-247	Medium speed	600	30	1.65	30	–55 °C to +150 °C	BIDW30N60T	Buy
BIDW50N65T	bidw50n65t	TO-247	Medium speed	650	50	1.65	50	–55 °C to +150 °C	BIDW50N65T	Buy
BIDNW30N60H3	bidnw30n60h3	TO-247N	High speed	600	30	1.65	12	–55 °C to +150 °C	BIDNW30N60H3	Buy
BIDW40N65H5	BIDW40N65H5	TO-247	High speed	650	40	1.65	20	–40 °C to +175 °C	TBD	Buy
BIDW40N65ES5	BIDW40N65ES5	TO-247	Efficient Medium Speed	650	40	1.35	40	–40 °C to +175 °C	TBD	Buy
BIDW75N65EH5	BIDW75N65EH5	TO-247	Efficient High Speed	650	75	1.65	75	–40 °C to +175 °C	TBD	Buy
BIDW75N65ES5	BIDW75N65ES5	TO-247	Efficient Medium Speed	650	75	1.42	75	–40 °C to +175 °C	TBD	Buy