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絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)

技術規格

Bourns® BID 離散式 IGBT 系列結合了 MOS 柵極和雙極晶體管的技術，為高壓和大電流應用創造了合適的元件。 Bourns® BID IGBT 系列採用先進的溝槽柵極場截止技術，提供更好的動態特性控制，同時降低集極-射極飽和電壓 (V_CE(sat)) 和開關損耗。此外，這種結構增加了器件的穩健性並提供更低的熱阻 R_TH，使其成為開關模式電源 (SMPS)、不間斷電源 (UPS)、感應加熱和功率因數校正 (PFC) 應用的理想解決方案。

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Series	Data Sheet	Package	Feature	V_CE [V]	I_C @ T=100 ˚C [A]	Typ. V_CE(sat) @ Ic, Vge=15 V [V]	I_F @ T=100 ˚C [A]	Operating Junction Temperature	MDS	Buy Now
BIDD05N60T	bidd05n60t	TO-252	Medium speed	600	5	1.5	N/A	–55 °C to +150 °C	BIDD05N60T	Buy
BIDW20N60T	bidw20n60t	TO-247	Medium speed	600	20	1.7	20	–55 °C to +150 °C	BIDW20N60T	Buy
BIDW30N60T	bidw30n60t	TO-247	Medium speed	600	30	1.65	30	–55 °C to +150 °C	BIDW30N60T	Buy
BIDW50N65T	bidw50n65t	TO-247	Medium speed	650	50	1.65	50	–55 °C to +150 °C	BIDW50N65T	Buy
BIDNW30N60H3	bidnw30n60h3	TO-247N	High speed	600	30	1.65	12	–55 °C to +150 °C	BIDNW30N60H3	Buy
BIDW40N65H5	BIDW40N65H5	TO-247	High speed	650	40	1.65	20	–40 °C to +175 °C	TBD	Buy
BIDW40N65ES5	BIDW40N65ES5	TO-247	Efficient Medium Speed	650	40	1.35	40	–40 °C to +175 °C	TBD	Buy
BIDW75N65EH5	BIDW75N65EH5	TO-247	Efficient High Speed	650	75	1.65	75	–40 °C to +175 °C	TBD	Buy
BIDW75N65ES5	BIDW75N65ES5	TO-247	Efficient Medium Speed	650	75	1.42	75	–40 °C to +175 °C	TBD	Buy