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高電圧 GDT デバイスは、高い絶縁レベルを必要とするお客様や用途のために設計されています。3 電極の高電圧 GDT は、800 V～1100 V の DC 破壊電圧で提供されています。
GDT、SPD、MOV の紛争鉱物報告書：CFSI_CMRT4-01
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