六款全新 Bourns® SiC BSD (Silicon Carbide Bridge Rectifier) 具備卓越的載流和散熱能力，以及符合當今高頻和大電流設計所需的高功率密度。
2023年6月27日 - 美商柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子元件領導製造供應商，隆重宣布首款 650 V
– 1200 V 碳化矽 (SiC) 肖特基勢壘二極體 (SBD) 正式上市。 Bourns® SiC SBD 系列提供六款型號，旨在提供出色的載流和散熱能力以及高功率密度，從而提高性能和可靠性。這些功能使
Bourns® SiC SBD 成為最佳的高效電源轉換解決方案，適用於日益增長、需要滿足減小尺寸和降低系統成本要求的各項高頻應用。Bourns® BSD 系列 SiC SBD 提供的功能可使電信/服務器開關模式電源 (SMPS)、光伏逆變器、PC 電源和電機驅動器等應用受益。
為了滿足不斷提高功率效率的設計需求，Bourns® SiC SBD 具有低正向電壓 (VF) 及高導熱性，不僅提高效率，同時降低功耗，滿足 650 V 和 1200 V 解決方案的應用要求。Bourns® SiC SBD 亦沒有反向恢復電流，可降低 EMI，從而使這些 SiC SBD 能夠顯著降低能量損耗。除了提供 650 V 至 1200 V 工作電壓和 6-10 A 範圍內的電流外，Bourns 的六款新型 BSD 寬帶隙二極體還為設計人員提供了各種正向電壓、電流和封裝選項，包括
TO220-2、TO247-3 、TO252 和 DFN8x8。
Bourns® 六款全新 BSD 系列碳化矽肖特基勢壘二極體現已上市，全系列均符合 RoHS* 標準且為無鹵**、無鉛產品，其環氧灌封膠具有阻燃性，符合 UL 94V-0 標準。有關更多詳細的產品資訊，請參閱：www.bourns.com/zh-cht/products/diodes/silicon-carbide-sic-schottky-barrier-diodes。