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Bourns® BID 離散式 IGBT 系列結合了 MOS 柵極和雙極晶體管的技術,為高壓和大電流應用創造了合適的元件。 Bourns® BID IGBT 系列採用先進的溝槽柵極場截止技術,提供更好的動態特性控制,同時降低集極-射極飽和電壓 (VCE(sat)) 和開關損耗。此外,這種結構增加了器件的穩健性並提供更低的熱阻 RTH,使其成為開關模式電源 (SMPS)、不間斷電源 (UPS)、感應加熱和功率因數校正 (PFC) 應用的理想解決方案。
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